DMN2016UTS-13

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: 8-TSSOP
數量：: 4941
說明：: MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

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DMN2016UTS-13 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：59.38 ns
工廠包裝數量：1
上升時間：11.66 ns
功率耗散：0.88 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：16.27 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8L
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：11 mOhms at 4.5 V, 13 mOhms at 2.5 V
漏極連續電流：8.58 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN2016UTS-13的詳細信息，包括DMN2016UTS-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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