
點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 350pF @ 10V
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝
以上是DI9400T的詳細(xì)信息,包括DI9400T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!