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CY14V116N-BZ30XI

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 165-FBGA（15x17）
數(shù)量：
 4797  
說明：
 IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
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CY14V116N-BZ30XI-165-FBGA（15x17）圖片

CY14V116N-BZ30XI PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：165-FBGA（15x17）
封裝/外殼：165-LBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：1.7V ~ 3.6V
訪問時(shí)間：30 ns
寫周期時(shí)間 - 字，頁：30ns
時(shí)鐘頻率：-
存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
存儲(chǔ)器組織：1M x 16
存儲(chǔ)容量：16Mb
技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲(chǔ)器格式：NVSRAM
存儲(chǔ)器類型：非易失
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是CY14V116N-BZ30XI的詳細(xì)信息，包括CY14V116N-BZ30XI廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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