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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:14 ns
商標名:NexFET
上升時間:5.3 ns
功率耗散:143 W
柵極電荷 Qg:30 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :98 S
下降時間:6.8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5.4 mOhms
漏極連續電流:100 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Texas Instruments
以上是CSD18503KCS的詳細信息,包括CSD18503KCS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!