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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:4.1 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數量:3000
上升時間:4.4 ns
功率耗散:2.3 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:2 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :16.5 S
下降時間:1.7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):23 mOhms
漏極連續電流:5 A
閘/源擊穿電壓:10 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments
以上是CSD16301Q2的詳細信息,包括CSD16301Q2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!