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中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
包裝形式:Box
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:350 mW
封裝形式:SOT-23
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:300 at 0.1 mA at 5 V
增益帶寬產品fT:100 MHz
最大直流電集電極電流:0.1 A
集電極—射極飽和電壓:50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V
集電極—基極電壓 VCBO:50 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:過渡期間
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是CMPT5087E的詳細信息,包括CMPT5087E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!