CMLT5551HC

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: SOT-563
數量：: 14567
說明：: 兩極晶體管 - BJT Small Signal NPN Hi Volt

一、本商品被瀏覽0次.

CMLT5551HC PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：350 mW
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續電流：1 A
封裝形式：SOT-563
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：30
增益帶寬產品fT：100 MHz
集電極—射極飽和電壓：160 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：160 V
集電極—基極電壓 VCBO：180 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
制造商：Central Semiconductor

以上是CMLT5551HC的詳細信息，包括CMLT5551HC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：