BSZ16DN25NS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8
數(shù)量：: 6395
說明：: MOSFET N-CH 250V 10.9A

一、本商品被瀏覽0次.

BSZ16DN25NS3 G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GXT SP000781800
功率耗散：62.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：14 S, 7 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：146 mOhms
漏極連續(xù)電流：10.9 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSZ16DN25NS3 G的詳細(xì)信息，包括BSZ16DN25NS3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：