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BSP135H6327XTSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223-4
數(shù)量：: 7389
說明：: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

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BSP135H6327XTSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
FET 功能：耗盡模式
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：146 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.9 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 94μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：45 歐姆 @ 120mA，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120mA（Ta）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：SIPMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是BSP135H6327XTSA1的詳細信息，包括BSP135H6327XTSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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