點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
包裝形式：Reel
封裝形式：EconoPACK 2
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：80 W
柵極—射極漏泄電流：120 nA
在25 C的連續集電極電流：15 A
集電極—射極飽和電壓：2.7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Hex
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：過渡期間
制造商：Infineon

以上是BSM10GD120DN2E3224的詳細信息，包括BSM10GD120DN2E3224廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器  

最新產品：

NVMFS5C670NLT1G

SI5338N-B11089-GMR

TB0440J30W

TVX2C010MAD1LV

AGFB027R25A2E3E

MT3510A-BP

501HCL-ACAF

ECX-P22CM-20.000

SW5-020180RI5NF

T495C337K006ZGE200