99精品久久久久久久免费看蜜月/欧美激情做真爱牲交视频/日本不卡不码高清免费观看/三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

BSM100GB120DN2K

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 Half Bridge1
數量：
 4698  
說明：
 IGBT 模塊 1200V 100A DUAL
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

BSM100GB120DN2K PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：500
安裝風格：Screw
柵極/發射極最大電壓：20 V
封裝形式：Half Bridge1
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：700 W
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續集電極電流：145 A
集電極—射極飽和電壓：2.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Half Bridge Module
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是BSM100GB120DN2K的詳細信息，包括BSM100GB120DN2K廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • BSM-100G-LF圖片

    BSM-100G-LF

    板上安裝壓力/力傳感器 0-100Psi Non-ported 6VDC supply

  • BSM-100G-LP圖片

    BSM-100G-LP

    板上安裝壓力/力傳感器 0-100Psi Ported 6VDC supply

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC