BSD816SNL6327HTSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT363-PO
數(shù)量：: 1233
說明：: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6

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BSD816SNL6327HTSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：180 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.6 nC @ 2.5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：950mV @ 3.7μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：160 毫歐 @ 1.4A，2.5V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，2.5V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：1.4A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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