BSC190N12NS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON-8
數(shù)量：: 11956
說明：: MOSFET N-channel POWER MOS

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GXT SP000652752
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：22 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時(shí)間：16 ns
功率耗散：69 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：26 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：45 S, 23 S
下降時(shí)間：4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：19 mOhms
漏極連續(xù)電流：44 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：120 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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