BSC060P03NS3E G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON-8
數(shù)量：: 14905
說明：: MOSFET P-Channel -30V MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

BSC060P03NS3E G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGXT SP000472984
典型關(guān)閉延遲時間：66 nS
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時間：139 nS
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：61 nC
下降時間：34 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6 mOhms at - 10 V
漏極連續(xù)電流：- 100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC060P03NS3E G的詳細(xì)信息，包括BSC060P03NS3E G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：