BLS6G3135S-120,112

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT502B
數量：: 7263
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 TRANS S-BAND RADAR LDMSO

一、本商品被瀏覽0次.

BLS6G3135S-120,112 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：SOT502B
封裝/外殼：SOT-502B
安裝類型：底座安裝
電壓 - 額定：60 V
功率 - 輸出：120W
電流 - 測試：100 mA
噪聲系數：-
額定電流（安培）：7.2A
電壓 - 測試：32 V
增益：11dB
頻率：3.1GHz ~ 3.5GHz
配置：-
技術：LDMOS
產品狀態：停產
包裝：-
系列：托盤
品牌：Ampleon USA Inc.

以上是BLS6G3135S-120,112的詳細信息，包括BLS6G3135S-120,112廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：