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BLF6G10LS-135R,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-502B
數量：: 6345
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS

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BLF6G10LS-135R,118 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：/T3 BLF6G10LS-135R
工廠包裝數量：100
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.23 Ohms
產品類型：MOSFET Power
功率耗散：125 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-502B
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：+/- 13 V
漏極連續電流：32 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：26.5 W
增益：21 dB
頻率：0.7 GHz to 1 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：NXP

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