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BGB 540 E6327

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-SOT343-3D
數量：
 4302  
說明：
 TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
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BGB 540 E6327-PG-SOT343-3D圖片

BGB 540 E6327 PDF參數資料

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中文參數如下：

晶體管類型：NPN
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）：3.5V
頻率 - 轉換：-
噪聲系數（dB典型值@頻率）：1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益：16dB ~ 17.5dB
功率 - 最大：120mW
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：-
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：30mA
安裝類型：表面貼裝

以上是BGB 540 E6327的詳細信息，包括BGB 540 E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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