BD1396STU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-126
數(shù)量：: 12171
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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BD1396STU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：60
包裝形式：Tube
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：12.5 W
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續(xù)電流：1.5 A
封裝形式：TO-126
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：40
最大直流電集電極電流：1.5 A
集電極—射極飽和電壓：80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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