中文參數如下:
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:330 mW
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:420 at 2 mA at 5 V
增益帶寬產品fT:250 MHz
最大直流電集電極電流:0.1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:45 V
集電極—基極電壓 VCBO:50 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是BC850C的詳細信息,包括BC850C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!