中文參數如下：
包裝形式：Bulk
最大功率耗散：350 mW
集電極連續電流：0.1 A
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min：50 at 1 mA at 10 V
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 50 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 60 V
晶體管極性：PNP
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是BC212_Q的詳細信息，包括BC212_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
