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中文參數如下:
FET 型4 N 通道(半橋)
FET 特點標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C540 毫歐 @ 9A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs154nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 4350pF @ 25V
功率 - 最大357W
安裝類型底座安裝
以上是APTM100H45STG的詳細信息,包括APTM100H45STG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!