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APTM100A12STG

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 SP3
數(shù)量：
 684  
說明：
 MOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W
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APTM100A12STG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型2 N 溝道（半橋）
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 34A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 10mA
閘電荷(Qg) @ Vgs616nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C68A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 17400pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安裝類型底座安裝

以上是APTM100A12STG的詳細(xì)信息，包括APTM100A12STG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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