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中文參數如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫歐 @ 500mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs495nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C112A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 11640pF @ 25V
功率 - 最大500W
安裝類型底座安裝
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