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中文參數如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫歐 @ 11.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1400V (1.4kV)
Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs820nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C23A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 13500pF @ 25V
功率 - 最大694W
安裝類型底座安裝
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