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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):178W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):545 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):11 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):399 毫歐 @ 3.8A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):不適用于新設(shè)計(jì)
包裝:-
系列:管件
品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
以上是AOW11S60的詳細(xì)信息,包括AOW11S60廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!