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中文參數如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 1.8A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時的 Vgs(th)（最大）800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs6.24nC @ 4.5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C1.8A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 524pF @ 10V
功率 - 最大625mW
安裝類型表面貼裝
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