AIMW120R060M1HXKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO247-3-41
數量：: 8784
說明：: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

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AIMW120R060M1HXKSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1060 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+23V，-7V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：31 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：78 毫歐 @ 13A，18V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：36A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101, CoolSiC?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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