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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:50 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:110 ns
功率耗散:50 W
柵極電荷 Qg:62 nC
下降時間:215 ns
封裝形式:TO-220 SIS
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.43 Ohms
漏極連續電流:13 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是2SK3797(Q,M)的詳細信息,包括2SK3797(Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!