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中文參數如下：

工廠包裝數量：50
功率耗散：450 W
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220 SIS
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1 Ohms
漏極連續電流：7.5 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK3667(Q)的詳細信息，包括2SK3667(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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