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中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
上升時間：20 ns
功率耗散：40 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
封裝形式：DP
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9 Ohms
漏極連續電流：1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK2845(TE16L1,Q)的詳細信息，包括2SK2845(TE16L1,Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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