中文參數如下:
工廠包裝數量:200
上升時間:15 ns
功率耗散:40 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:S-7B-5B
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.046 Ohms
漏極連續電流:20 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:50 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是2SK2614(Q)的詳細信息,包括2SK2614(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!