中文參數如下:
典型關閉延遲時間:60 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:55 ns
功率耗散:45 W
柵極電荷 Qg:110 nC
下降時間:180 ns
封裝形式:TO-220 NIS
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):25 mOhms
漏極連續電流:45 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是2SK2312(F)的詳細信息,包括2SK2312(F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!