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中文參數如下:
工廠包裝數量:10000
最大功率耗散:50 mW
直流電流增益 hFE 最大值:400
集電極連續電流:100 mA
封裝形式:FSM
安裝風格:SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min:120
增益帶寬產品fT:60 MHz
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba
以上是2SC6026CT-GR的詳細信息,包括2SC6026CT-GR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!