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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：150 mW
直流電流增益 hFE 最大值：270 at 2 mA at 6 V
封裝形式：S-Mini
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：350 at 2 mA at 6 V
增益帶寬產品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：120 V
集電極—基極電壓 VCBO：120 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA1163GRT5LFT的詳細信息，包括2SA1163GRT5LFT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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