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中文參數如下:
最大功率耗散:150 mW
直流電流增益 hFE 最大值:400
集電極連續電流:- 150 mA
封裝形式:S-MINI
安裝風格:SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min:200
發射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 50 V
晶體管極性:PNP
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba
以上是2SA1162-GR(T5L,F,T的詳細信息,包括2SA1162-GR(T5L,F,T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!