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2N6719 TRE

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TO-237
數(shù)量：: 801
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Med Power

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2N6719 TRE PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
包裝形式：Box
最大功率耗散：2 W
封裝形式：TO-237
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：40
增益帶寬產(chǎn)品fT：30 MHz
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：300 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：300 V
集電極—基極電壓 VCBO：300 V
晶體管極性：NPN
RoHS：過渡期間
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N6719 TRE的詳細(xì)信息，包括2N6719 TRE廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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