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中文參數如下:
工廠包裝數量:2500
包裝形式:Box
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:625 mW
集電極連續電流:0.1 A
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:450 at 10 uA at 5 V
增益帶寬產品fT:100 MHz
最大直流電集電極電流:0.05 A
集電極—射極飽和電壓:45 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:8 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:45 V
集電極—基極電壓 VCBO:45 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是2N5962的詳細信息,包括2N5962廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!