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中文參數如下:
工廠包裝數量:2500
包裝形式:Box
最大功率耗散:350 mW
集電極連續電流:0.1 A
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:200 at 0.1 mA at 5 V
增益帶寬產品fT:30 MHz
集電極—射極飽和電壓:50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:4.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V
集電極—基極電壓 VCBO:50 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:過渡期間
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是2N5210的詳細信息,包括2N5210廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!