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中文參數如下:
最大功率耗散:5 W
集電極連續電流:150 mA
封裝形式:TO-39
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:10
增益帶寬產品fT:160 MHz
發射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:250 V
晶體管極性:NPN
RoHS:是
制造商:Central Semiconductor
以上是2N5059的詳細信息,包括2N5059廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!