2N3250

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TO-18
數(shù)量：: 6123
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS

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2N3250 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
包裝形式：Box
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：360 mW
封裝形式：TO-18
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：15
增益帶寬產(chǎn)品fT：250 MHz
最大直流電集電極電流：0.2 A
集電極—射極飽和電壓：40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：40 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：過渡期間
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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