| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IPD30N03S2L20 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 20mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S4L-09 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD30N03S4L14 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：1 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極 RDS（... | ||||||
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IPD30N03S4L-14 | Infineon Technologies | TO-252 | 1876 | MOSFET OPTIMOS T2 N-CH 30V 30A 13.6mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD30N06S215 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N06S223 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N06S2-23 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 23mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 13mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N06S2L-23 | Infineon Technologies | TO-252 | 3777 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 23mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N06S3-24 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 30A 24mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N06S3L-20 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 30A 20mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD30N06S4L-23 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：IPD30N06S4L23ATMA1 IPD30N06S4L23ATMA2 SP0003... | ||||||
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IPD30N08S222 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N08S2-22 | Infineon Technologies | TO-252 | 2363 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 21.5mOhm | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N08S2L21 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | TO-252 | 2640 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 20.5mOhm | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N10S3L-34 | Infineon Technologies | TO-252 | 2827 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 30A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPD320N20N3 G | Infineon Technologies | TO-252-3 | 3303 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
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