| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IPB160N04S2-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 40V 160A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S2L03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：160 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB160N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 40V 160A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S3H2 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：160 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB160N04S3-H2 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 40V 160 A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S4-H1 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：160 A，電阻汲... | ||||||
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IPB16CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 53A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPB16CNE8N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB17N25S3-100 | Infineon Technologies | MOSFET Infineon MOSFETs | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100XT SP0008765... | ||||||
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IPB180N03S4L-01 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲... | ||||||
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IPB180N03S4L-H0 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲... | ||||||
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IPB180N04S302 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB180N04S3-02 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 40V 180 A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB180N04S4-00 | Infineon Technologies | TO-263-7 | 414 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：... | ||||||
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IPB180N04S4-01 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲... | ||||||
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IPB180N04S4-H0 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲... | ||||||
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IPB180N06S4-H1 | Infineon Technologies | PG-TO263-7-3 | 2650 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：180 A... | ||||||
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IPB180P04P4-03 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET P-Channel MOSFET 40V 180A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：- 180 A... | ||||||
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IPB180P04P4L-02 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -180A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，漏極連續電流：- 180 A，電阻汲極/源極 RDS（... | ||||||
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IPB200N15N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 150V 50A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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