| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB054N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 178 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 80V 80A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB055N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 515 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 50A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB05CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB05N03LAG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB05N03LB G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB065N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 999 | MOSFET N-CH 60V 80A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB065N06L G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB065N15N3GE818XT | Infineon Technologies | PG-TO263-7 | MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：130... | ||||||
|
|
IPB067N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 618 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB069N10N3G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
|
|
IPB06CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB06CNE8N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB06N03LA G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 50A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB06N03LBG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPB070N06L G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB070N06NG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB072N15N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 798 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 100A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB072N15N3GE818XT | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100... | ||||||
|
|
IPB075N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | 339 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 50A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
871/1298 首頁 上頁 [866] [867] [868] [869] [870] [871] [872] [873] [874] [875] [876] 下頁 尾頁
