| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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HUFA76645P3 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET 75a 100V 0.015 Ohm Logic Level N-Ch | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘... | ||||||
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HUFA76645S3S | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 75a 100V 0.015 Ohm Logic Level N-Ch | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘... | ||||||
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HUFA76645S3ST | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 75a 100V 0.015 Ohm Logic Level N-Ch | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘... | ||||||
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HUFA76645S3ST_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET 100V 75A 0.015ohm N-CH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘... | ||||||
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IPB009N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 1619 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 180A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB010N06N | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET 60V TO-263 | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片） | 4,200 | MOSFET MV POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：... | ||||||
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IPB011N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | 601 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB011N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB014N06N | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET 60V TO-263 | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | PG-TO263-7 | 91 | MOSFET MV POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：... | ||||||
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IPB015N04L G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 120A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB015N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 120A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB016N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr LOGIC LEVEL N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB017N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263-7 | 1695 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續... | ||||||
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IPB019N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 983 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr LOGIC LEVEL N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB019N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB020N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | 849 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 140A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB020NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1016 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：2.3 V，漏極連續電流：120 A，電阻... | ||||||
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IPB021N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 873 | MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續... | ||||||
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