| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXFN55N50 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：55 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN55N50F | Ixys | SOT-227B | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：55 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN56N90P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 18 | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，漏極連續(xù)電流：56 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：135 ... | ||||||
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IXFN60N60 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 600V 60A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連... | ||||||
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IXFN60N80P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET DIODE Id54 BVdass800 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連... | ||||||
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IXFN62N80Q3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：49 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IXFN64N50P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 500V 64A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連... | ||||||
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IXFN64N60P | Ixys | SOT-227B | MOSFET 600V 64A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連... | ||||||
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IXFN66N50Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 66 Amps 500V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：66 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN70N60Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 70 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：70 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN72N55Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 72 Amps 550 V 0.07 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：550 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：72 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN73N30 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 300V 73A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：300 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連... | ||||||
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IXFN73N30Q | Ixys | SOT-227B | MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：300 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：73 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN80N48 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 480V 80A 45Rds SNGL DIE MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：480 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：80 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN80N50 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 500V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連... | ||||||
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IXFN80N50P | Ixys | SOT-227B | MOSFET 500V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連... | ||||||
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IXFN80N50Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：80 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN80N50Q3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：63 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IXFN82N60P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET DIODE Id82 BVdass600 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連... | ||||||
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IXFN82N60Q3 | Ixys | SOT-227B | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：66 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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