| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BSS84W-7 | Diodes Inc. | SC-70，SOT-323 | MOSFET -50V 200mW | ||
| 參數(shù)：制造商：Diodes Inc.，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20... | ||||||
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BSS84W-7-F | Diodes Inc. | SC-70，SOT-323 | 822,695 | MOSFET -50V 200mW | |
| 參數(shù)：制造商：Diodes Inc.，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 75 V，閘/源擊穿電壓：+/- ... | ||||||
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BSS87 L6327 | Infineon Technologies | SOT-89-4 | 277 | MOSFET N-CH 240V 0.26A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
SOT89.jpg)
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BSS87,115 | NXP Semiconductors | TO-243AA | 230,794 | MOSFET N-CH DMOS 200V 0.4A | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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BSS92 | Vishay/Siliconix | TO-18-3 | MOSFET 200V 0.15A 1.0W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.12 A... | ||||||
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BSY2222A (P) | Infineon Technologies | MOSFET HIREL | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，零件號(hào)別名：BSY2222APNZ，... | ||||||
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BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-KAN | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSXT SP000756338，... | ||||||
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BSZ018NE2LSIXT | Infineon Technologies | PG-TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：40 A... | ||||||
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BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSXT SP000792362，... | ||||||
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BSZ023N04LS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 40V S308 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：40 A，電阻汲極/源極 RDS... | ||||||
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BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | PG-TSDSON-8-FL | MOSFET MV POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSZ023N04LS BSZ023N04LSXT，... | ||||||
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BSZ033N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSZ033N03LSCGATMA1 BSZ033N03LSCGXT SP0005353... | ||||||
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BSZ033N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSZ033N03MSCGATMA1 BSZ033N03MSCG... | ||||||
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BSZ035N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET 30.0V3.5mOhm 5.7mOhm N CHANNEL MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ035N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET 30.0V 3.5mOhm N CHANNEL MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ036NE2LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 6177 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：50 A，... | ||||||
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BSZ040N04LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 2879 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ042N04NS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ049N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：5000，零件號(hào)別名：BSZ049N03LSCGATMA1 B... | ||||||
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BSZ049N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：5000，零件號(hào)別名：BSZ049N03MSCGATMA1 B... | ||||||
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