| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS192 T/R | NXP Semiconductors | SOT-89 | MOSFET TAPE-7 MOSFET | ||
| 參數：制造商：NXP，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續... | ||||||
SOT89.jpg)
|
BSS192,115 | NXP Semiconductors | TO-243AA | 27,930 | MOSFET TAPE-7 MOSFET | |
| 參數：制造商：NXP，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 240 V，閘/源擊穿電壓：- 20 V，漏極連續... | ||||||
|
|
BSS192,135 | NXP Semiconductors | TO-243AA | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 參數：制造商：NXP，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：240 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續... | ||||||
|
BSS192P L6327 | Infineon Technologies | SOT-89-4 | 167 | MOSFET P-CH 250V 0.19A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
BSS205N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
|
BSS205NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 112 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：2.5 ... | ||||||
|
BSS209PW L6327 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET P-CH -20 V -.58 A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
|
BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | MOSFET P-CHANNEL MOS | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSS209PWH6327 BSS209PWH6327XT，... | ||||||
|
|
BSS214N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
|
BSS214NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2685 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：1.5 ... | ||||||
|
|
BSS214NW L6327 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
|
|
BSS215P L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS P2 Sm-Signal Transistor P-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
|
|
BSS215PH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2296 | MOSFET OptiMOS P2 Small Signal Transistor | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極連續電流：- 1... | ||||||
|
BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | MOSFET P-CH -20 V .39 A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
|
|
BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
|
|
BSS225 L6327 | Infineon Technologies | SOT-89-4 | 2106 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V .09A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSS306N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 668 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSS306NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2726 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：2.3 ... | ||||||
|
|
BSS308PE L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS P2 Sm-Signal Transistor P-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSS308PEH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 4849 | MOSFET OptiMOS P3 Small Signal Transistor | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：- ... | ||||||
711/1299 首頁 上頁 [706] [707] [708] [709] [710] [711] [712] [713] [714] [715] [716] 下頁 尾頁
