| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BSN254A AMO | NXP Semiconductors | SOT-54 | MOSFET AMMORA MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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BSN254A,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | MOSFET AMMORA MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.31 A，電阻汲極/源極 R... | ||||||
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BSN304 AMO | NXP Semiconductors | SOT-54 | MOSFET AMMORA MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：300 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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BSN304,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | MOSFET AMMORA MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：300 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.3 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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BSO 612 CV G | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3 A, -... | ||||||
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BSO033N03MS G | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO038N03MSC G | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO040N03MS G | Infineon Technologies | DSO | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO051N03MS G | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 2,178 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO052N03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET N-CH 30V 14A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO064N03S | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO065N03MS G | Infineon Technologies | DSO | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO070N08NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：2500，零件號別名：BSO070N08NS3GXT，... | ||||||
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BSO072N03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET N-CH 30V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO080P03NS3 G | Infineon Technologies | DSO | 2170 | MOSFET P-KANAL | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，... | ||||||
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BSO080P03NS3E G | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | 2354 | MOSFET P-KANAL | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 ... | ||||||
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BSO080P03S | Infineon Technologies | SO-8 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極連續(xù)電流：- 14.... | ||||||
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BSO080P03S H | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | 2460 | MOSFET P-KANAL | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 ... | ||||||
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BSO083N03MS G | Infineon Technologies | DSO | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO094N03S | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：10 A，... | ||||||
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