| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET MV POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSC500N20NS3G BSC500N20NS3GXT，... | ||||||
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BSC520N15NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 2802 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：21 A，電阻汲... | ||||||
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BSC600N25NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1098 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：25 A，電阻汲... | ||||||
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BSC750N10ND G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1734 | MOSFET OptiMOS 2 PWR-Trans 100V 13A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC882N03LS G | Infineon Technologies | SON-8 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：34 V，閘/源擊穿電壓：2 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BSC882N03MS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC883N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：34 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC883N03MS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4990 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC884N03MS G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC886N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC889N03LS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4990 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC889N03MS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC900N20NS3G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 200V 15.2A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：15.2 A，電... | ||||||
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BSN20 /T3 | NXP Semiconductors | TO-236AB-3 | MOSFET TRENCH 31V-99V G2 TAPE 13 | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
SOT23.jpg)
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BSN20,215 | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET N-CH TRNCH 50V 173MA | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BSN20,235 | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET TRENCH 31V-99V G2 | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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BSN20\E9 | Vishay Semiconductors | SOT-23-3 | MOSFET N-Channel 50V 0.18A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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BSN20-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 41V-60V,SOT23,3K | ||
| 參數(shù)：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：50... | ||||||
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BSN254 AMO | NXP Semiconductors | SOT-54 | MOSFET AMMORA MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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BSN254,126 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | MOSFET AMMORA MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.31 A，電阻汲極/源極 R... | ||||||
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