| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BSC014NE2LSIXT | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 ... | ||||||
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BSC016N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC016N03LSG | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源... | ||||||
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BSC016N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET 30V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC016N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4627 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC016N06NS | Infineon Technologies | DSON-8 | MOSFET 60V SuperS08 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 101,723 | MOSFET MV POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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BSC017N04NS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC018N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSXT SP000756336，... | ||||||
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BSC018NE2LSIXT | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 ... | ||||||
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BSC019N02KS G | Infineon Technologies | TDSON | 2057 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 20V 100A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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BSC019N04NS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC020N025S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET N-CH 25V 29A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC020N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 11027 | MOSFET N-CH 30 V 100 A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC020N03LSG | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：28 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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BSC020N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 8707 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET 30V 100A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC022N03S G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-CH 30V 28A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC024N025S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC024NE2LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 577 | MOSFET N-Channel 25V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A... | ||||||
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